Комплектующие к ПК

Сортировать по:
Новинки выше
Основные характеристики Интерфейс PCI-E x4 Объем накопителя 750 ГБ Форм-фактор PCI-E AIC (add-in-card) Максимальная скорость чтения 2500 Мб/с Максимальная скорость записи 2200 Мб/с Время наработки на отказ 2000000 ч Тип памяти NAND 3D XPoint Потребляемая мощность 18 Вт...
Основные характеристики Интерфейс SATA III Объем накопителя 240 ГБ Форм-фактор 2.5" Максимальная скорость чтения 500 Мб/с Максимальная скорость записи 260 Мб/с Время наработки на отказ 2000000 ч Тип памяти NAND 3D TLC Потребляемая мощность 3.1 Вт Толщина 7 мм Ресурс TBW 1433.6 Tb...
Основные характеристики Интерфейс PCI-E x4 Объем накопителя 32 ГБ Форм-фактор M.2 2280 Максимальная скорость чтения 1650 Мб/с Максимальная скорость записи 550 Мб/с Время наработки на отказ 1600000 ч Тип памяти NAND 3D XPoint Потребляемая мощность 3.8 Вт Ресурс TBW 365 Tb Категория...
Особенности Поддержка NVMe ДА Основные характеристики Интерфейс PCI-E x4 Объем накопителя 375 ГБ Форм-фактор PCI-E AIC (add-in-card) Максимальная скорость чтения 2400 Мб/с Максимальная скорость записи 2000 Мб/с Время наработки на отказ 2000000 ч Потребляемая мощность 18 Вт Ресурс TBW...
Тип жесткого диска SSD Объем накопителя 500 Гб Форм-фактор 2.5" Интерфейс USB Type-C Максимальная скорость чтения 1050 Мб/с Особенности Функцию резервного копирования Windows, macOS Time Machine, Windows Bitlocker to Go и Apple FileVault можно использовать вместе со сторонними...
Интерфейс SATA III Контроллер NAND SM2263 Максимальная скорость записи 1900 Максимальная скорость чтения 2100 Объем накопителя 960 Тип памяти NAND 3D TLC Форм-фактор M.2 2280 Категория Применения (SSD) 960GB
Тип жесткого диска SSD Объем накопителя 960 Гб Форм-фактор 2.5" Интерфейс SATA III Максимальная скорость чтения 530 Мб/с Максимальная скорость записи 420 Мб/с Контроллер NAND SM2258 Тип памяти NAND 3D TLC Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 83585 Скорость произвольной записи...
Тип жесткого диска SSD Объем накопителя 240 Гб Форм-фактор M.2 2280 Интерфейс SATA III Максимальная скорость чтения 560 Мб/с Максимальная скорость записи 530 Мб/с Контроллер NAND SM2258 Тип памяти NAND 3D TLC Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 76908 Скорость...
Общие параметры Тип SSD M.2 накопитель Модель AMD Radeon R5 NVMe Series Основные характеристики Объем накопителя 240 ГБ Форм-фактор 2280 Физический интерфейс PCI-E 3.x x4 Ключ M.2 разъема M NVMe есть Конфигурация накопителя Количество бит на...
Форм-фактор накопителя (физический) 3.5 Объем накопителя 10240 Буферная память 256 Скорость вращения шпинделя 7200 Интерфейс SATA III Тип жесткого диска HDD Время наработки на отказ 1500000 Размер (жесткие диски) Consumer Серия Purple Потребляемая мощность 9...
Общие характеристики Тип HDD Поддержка секторов размером 4 КБ есть Назначение для сервера Форм-фактор 3.5" Характеристики накопителя Объем 10000 ГБ Скорость записи/Скорость чтения 240/240 МБ/с Объем буферной памяти 256 МБ Скорость вращения 7200...
Безопасность Максимальные перегрузки 30G длительностью 2 мс при чтении/записи, 65G длительностью 2 мс при чтении, 250G длительностью 2 мс в выключенном состоянии Основные характеристики Производитель Western Digital Модель WD60EZAZ Емкость накопителя 6 Тб Серия Blue Тип оборудования...
форм-фактор 3.5"; тип: HDD; интерфейс: SATA III; объём: 3ТБ; буферная память 256МБ Тип жесткого диска: HDD Форм-фактор: 3.5 " Объем накопителя: 3 ТБ Интерфейс: SATA III Буферная память: 256 МБ Время наработки на отказ: 1000000 ч Потребляемая мощность: 4.8 Вт Мощность в...
Основные характеристики Производитель Seagate Серия IronWolf Pro Модель ST10000NE0008 Тип оборудования HDD для NAS Емкость накопителя 10 Тб Головки 13 Число пластин 8 Описание Жесткий диск для систем NAS с 8-16 отсеками. Данный HDD подходит для систем хранения данных...
Серия P300 Форм-фактор накопителя (физический) 3.5 Тип жесткого диска HDD Интерфейс SATA III Объем накопителя 6144 Скорость вращения шпинделя 5400 Буферная память 128 Средняя латентность 4.17 Потребляемая мощность 4.46 Мощность в режиме ожидания 2.68 Толщина 26.1
Общие характеристики Тип памяти DDR 4 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11 Дополнительно...
Основные Производитель Foxline логотип Foxline Код производителя FL1600D3S11S1-4GH Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR-3 Объём памяти 4 Гб Объем одного модуля 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800...
Производитель QUMO Модель QUM4S-4G2400C16 Объем модуля памяти 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Частота функционирования до 2400 МГц Стандарт памяти PC4-19200 (DDR4 2400 МГц) Латентность CL16 Напряжение питания 1.2 В (DDR4) Конфигурация Чип 512M x 8-bit
Размер оперативной памяти 16,00 ГБ Размеры элемента 7,00 х 2,50 х 0,50 дюйма Скорость памяти 2666,00 МГц Объем памяти 16,00 ГБ Технология оперативной памяти SDRAM DDR4 Размер 16 гигабайт Тип ОЗУ DDR4 SDRAM
Основные Производитель Foxline логотип Foxline Код производителя FL1600D3S11-8G Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR-3 Объём памяти 8 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800...
Основные характеристики Производитель: Xiaomi Тип: Сплиттер Количество разъемов: 3 Размеры: 89x23.6x18.5 мм Вес: 33 г Цвет: Белый Материал корпуса: Пластик Разъемы (выход): USB-A 3.0 x4; Type-C x1 Разъем (вход): USB-A 3.0 Длина кабеля: 24 см Температура эксплуатации: От 0° до +35°С
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 4 Гб Объем одного модуля 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 15 Дополнительно Напряжение питания 1.2 В Система охлаждения...
Объем памяти комплекта 4 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/сек Схема таймингов памяти 19-19-19-43 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без...
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 2 Тактовая частота 3600 МГц Пропускная способность 28800 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 18 RAS to CAS Delay (tRCD) 22 Row Precharge Delay (tRP) 22 Activate...
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 2 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16 Дополнительно Напряжение питания 1.35 В Система охлаждения...
Серия Signature Line Тип оперативной памяти DDR2 Total capacity 4 GB Объем модуля памяти 2 Гб Частота работы оперативной памяти 800 МГц Форм-фактор модуля 240-pin DIMM Множитель частоты шины 6.00 Количество ранков 2 Количество в упаковке 25.00...
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3000 МГц Пропускная способность 24000 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 20 Row Precharge Delay (tRP) 20...
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 17 RAS to CAS Delay (tRCD) 17 Row Precharge Delay (tRP) 17 Activate...
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 8 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 16 Row Precharge Delay (tRP) 16...
Размеры упаковки 7,1 х 4,8 х 0,2 дюйма Вес предмета 0,64 унции Вес с упаковкой 0,64 унции производитель SK Hynix КАК В B07GH7RRTM Номер модели изделия HMA851S6CJR6N-VK
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 8 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3600 МГц Пропускная способность 28800 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 17 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay...
Показать еще 40 товаров