Компьютеры, электроника :: Комплектующие к ПК

ОЗУ Foxconn Foxline FL1600D3S11S1-4GH SO-DIMM 4GB DDR3-1600 PC3-12800 (Hynix chips), LV 1.5V

Основные Производитель Foxline логотип Foxline Код производителя FL1600D3S11S1-4GH Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR-3 Объём памяти 4 Гб Объем одного модуля 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800...

ОЗУ Qumo QUM4S-4G2400C16 SO-DIMM 4GB DDR4-2400 PC4-19200 CL16, 1.2V, Single Rank, Retail

Производитель QUMO Модель QUM4S-4G2400C16 Объем модуля памяти 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Частота функционирования до 2400 МГц Стандарт памяти PC4-19200 (DDR4 2400 МГц) Латентность CL16 Напряжение питания 1.2 В (DDR4) Конфигурация Чип 512M x 8-bit

ОЗУ Samsung K4A8G045WB-BCTD/16 16GB DDR4-2666 PC4-21300 3rd, CL19, 1.2V

Размер оперативной памяти 16,00 ГБ Размеры элемента 7,00 х 2,50 х 0,50 дюйма Скорость памяти 2666,00 МГц Объем памяти 16,00 ГБ Технология оперативной памяти SDRAM DDR4 Размер 16 гигабайт Тип ОЗУ DDR4 SDRAM

ОЗУ Foxconn Foxline FL1600D3S11-8G SO-DIMM 8GB DDR3-1600 PC3-12800, CL11, 1.5V, (512x8), retail

Основные Производитель Foxline логотип Foxline Код производителя FL1600D3S11-8G Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR-3 Объём памяти 8 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800...

Разветвитель USB 3.0 Xiaomi XMFXQ01QM

Основные характеристики Производитель: Xiaomi Тип: Сплиттер Количество разъемов: 3 Размеры: 89x23.6x18.5 мм Вес: 33 г Цвет: Белый Материал корпуса: Пластик Разъемы (выход): USB-A 3.0 x4; Type-C x1 Разъем (вход): USB-A 3.0 Длина кабеля: 24 см Температура эксплуатации: От 0° до +35°С

ОЗУ 4GB PC19200 DDR4 PVE44G240C6GY Patriot

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 4 Гб Объем одного модуля 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 15 Дополнительно Напряжение питания 1.2 В Система охлаждения...

ОЗУ 4GB PC21300 DDR4 PSD44G266641 Patriot

Объем памяти комплекта 4 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/сек Схема таймингов памяти 19-19-19-43 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без...

ОЗУ 16GB PC28800 DDR4 Team Group T-Force TF10D416G3600HC18JDC01

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 2 Тактовая частота 3600 МГц Пропускная способность 28800 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 18 RAS to CAS Delay (tRCD) 22 Row Precharge Delay (tRP) 22 Activate...

ОЗУ 16GB PC56000 DDR4 Team Group T-Force TF10D416G3200HC16CDC01

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 2 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16 Дополнительно Напряжение питания 1.35 В Система охлаждения...

ОЗУ 4GB PC6400 DDR2 KIT2 PSD24G800K Patriot

Серия Signature Line Тип оперативной памяти DDR2 Total capacity 4 GB Объем модуля памяти 2 Гб Частота работы оперативной памяти 800 МГц Форм-фактор модуля 240-pin DIMM Множитель частоты шины 6.00 Количество ранков 2 Количество в упаковке 25.00...

ОЗУ 16GB PC24000 DDR4 Adata AX4U3000316G16A-SR41

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3000 МГц Пропускная способность 24000 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 20 Row Precharge Delay (tRP) 20...

ОЗУ 16GB PC19200 DDR4 Adata AD4U2400716G17-SGN

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 17 RAS to CAS Delay (tRCD) 17 Row Precharge Delay (tRP) 17 Activate...

ОЗУ 8GB PC21300 DDR4 Adata AX4U266638G16-SRG

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 8 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 16 Row Precharge Delay (tRP) 16...

ОЗУ Hynix Original HMA851S6JJR6N-VK SO-DIMM 4GB DDR4-2666 PC4-21300 CL19, 1.2V, retail

Размеры упаковки 7,1 х 4,8 х 0,2 дюйма Вес предмета 0,64 унции Вес с упаковкой 0,64 унции производитель SK Hynix КАК В B07GH7RRTM Номер модели изделия HMA851S6CJR6N-VK

ОЗУ 8GB PC28800 DDR4 Goodram IRP-3600D4V64L17S/8G

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 8 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3600 МГц Пропускная способность 28800 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 17 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay...