Компьютеры, электроника

Чехол (клип-кейс) Samsung для Samsung Galaxy Note 10+ Silicone Cover серебристый (EF-PN975TSEGRU)

Основные характеристики Производитель Samsung Вид чехла Накладка Совместимость Samsung Galaxy Note 10+ Материал Силикон Цвет Серебристый

Чехол (клип-кейс) Samsung для Samsung Galaxy A40 Gradation Cover фиолетовый (EF-AA405CVEGRU)

Основные характеристики Производитель Samsung Вид чехла Накладка Совместимость Samsung Galaxy A40 Материал Силикон Цвет Фиолетовый

Чехол (клип-кейс) Samsung для Samsung Galaxy A70 Araree A Cover черный (GP-FPA705KDABR)

Основные характеристики Производитель Samsung Вид чехла Накладка Совместимость Samsung Galaxy A70 Материал Силикон Цвет Чёрный

Чехол (клип-кейс) Samsung для Samsung Galaxy Note 10 Leather Cover черный (EF-VN970LBEGRU)

Основные характеристики Производитель Samsung Вид чехла Накладка Совместимость Samsung Galaxy Note 10 Материал Натуральная кожа Цвет Чёрный...

Чехол (клип-кейс) Samsung для Samsung Galaxy A10 araree A cover прозрачный (GP-FPA105KDATR)

Основные характеристики Производитель Samsung Вид чехла Накладка Совместимость Samsung Galaxy A10 Материал Силикон Цвет Прозрачный

Опция Intel (NCSM2450.DK1 962297) Movidius Neural Compute Stick

Увеличить мощность компьютерной системы можно с помощью опции Intel Original (NCSM2450.DK1 962297) NCSM2450.DK1 Movidius Neural Compute Stick. Оборудование используется для применения нейросетевых решений во встраиваемых системах. Поэтому любая программа или приложение запускаются достаточно...

Опция Intel (NCSM2485.DK 964486) Movidius Neural Compute Stick 2 with Myriad X VPU

Общие параметры Форм-фактор корпуса Stick Основной цвет синий Программное обеспечение Операционная система без ОС Процессор Модель процессора Intel Movidius Myriad X VPU Количество ядер процессора нет Частота процессора 700 МГц Оперативная память...

Оперативная память DDR4 8Gb 4000MHz Crucial BLE8G4D40BEEAK RTL PC4-32000 CL8 DIMM 288-pin 1.35В kit

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 8192 Мб Объем одного модуля 8192 Мб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4000 МГц Пропускная способность 32000 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 18 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19...

Оперативная память DDR4 4x8Gb 3200MHz Crucial BLT4K8G4D32AET4K RTL PC4-25600 CL16 DIMM 288-pin 1.35В kit

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 32768 Мб Объем одного модуля 8192 Мб Количество модулей в комплекте 4 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge Delay (tRP) 18...

Оперативная память DDR4 4x8Gb 4000MHz Crucial BLE4K8G4D40BEEAK RTL PC4-32000 CL18 DIMM 288-pin 1.35В

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 32768 Мб Объем одного модуля 8192 Мб Количество модулей в комплекте 4 Тактовая частота 4000 МГц Пропускная способность 32000 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 18 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19...

Оперативная память DDR4 8Gb 2666MHz AMD R748G2606U2S-UO OEM PC4-21300 CL16 DIMM 288-pin 1.2В

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 8 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge...

Оперативная память DDR4 4x4Gb 2400MHz Crucial BLS4K4G4D240FSC RTL PC4-19200 CL16 DIMM 288-pin 1.2В

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16384 Мб Объем одного модуля 4096 Мб Количество модулей в комплекте 4 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 16 Row Precharge Delay (tRP) 16...

Оперативная память DDR4 4x4Gb 2666MHz Crucial BLS4K4G4D26BFSB RTL PC4-21300 CL16 DIMM 288-pin 1.2В kit

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 4 Гб Количество модулей в комплекте 4 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge Delay...

Оперативная память DDR4 4x8Gb 3000MHz Corsair CMW32GX4M4C3000C15W RTL PC4-24000 CL15 DIMM 288-pin 1.35В

Количество в упаковке 4 Объем одного модуля 8192 Частотная спецификация 3000 Показатель скорости PC4-24000 Латентность CL15 Буферизация unbuffered Тип памяти DDR4 Количество контактов 288-pin Радиатор охлаждения ДА Форм-фактор DIMM Тип поставки Ret

Оперативная память DDR4 4x16Gb 2400MHz Crucial BLS4K16G4D240FSC RTL PC4-19200 CL16 DIMM 288-pin 1.2В

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 64 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 4 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 16 Row Precharge Delay (tRP) 16...

Оперативная память DDR4 4x16Gb 3200MHz Crucial BLS4K16G4D32AESB RTL PC4-25600 CL16 DIMM 288-pin 1.35В kit

Тип оборудования Оперативная память Модель BLS4K16G4D32AESB Производитель Crucial Тип памяти DDR4 Стандарт памяти PC4-25600 Объем памяти (общий) 64 Гб Количество модулей в комплекте 4 Емкость одного модуля 16384 Мб Буферизация unbuffered Латентность CL16 Прочее Количество контактов:...

Оперативная память DDR4 4x16Gb 3600MHz Corsair CMT64GX4M4K3600C18 RTL PC4-25600 DIMM 288-pin 1.35В kit

Общие характеристики Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Количество контактов 288-pin Объем 4×16384 Мб Показатель скорости PC4-25600 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 3600МГц Напряжение 1.35В Конструкция Радиатор охлаждения есть Тип...

Оперативная память DDR4 4Gb 2666MHz AMD R744G2606U1S-UO OEM PC4-21300 CL16 DIMM 288-pin 1.2В

Общие характеристики Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Количество контактов 288-pin Объем 4096 Мб Показатель скорости PC4-21300 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 2666МГц Напряжение 1.2В Задержка 16-18-18-35 Латентность CL16...

Оперативная память DDR4 4Gb 2666MHz Crucial BLS4G4D26BFSB RTL PC4-21300 CL16 DIMM 288-pin 1.2В kit

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 4096 Мб Объем одного модуля 4096 Мб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge Delay (tRP) 18...

Оперативная память DDR4 4Gb 2666MHz Patriot PVE44G266C6GY RTL PC4-21300 CL16 DIMM 288-pin 1.2В

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 4096 Мб Объем одного модуля 4096 Мб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 15 Дополнительно Напряжение питания 1.2 В Система охлаждения...