Сортировать по:
Новинки выше
BarraCuda Q5 M.2 2280 Вендор: SEAGATE Интерфейс: PCI-E x4 Объем накопителя: 1024 ГБ Форм-фактор: M.2 2280 Максимальная скорость чтения: 2400 МБ/с Максимальная скорость записи: 1700 МБ/с Время наработки на отказ: 1800000 ч Тип памяти NAND: QLC Потребляемая мощность: 3.1...
Тип внутренний Назначение для сервера Объем 1920 ГБ Форм-фактор 2.5" Разъем SATA 3 Тип памяти 3D TLC NAND Внешняя скорость записи 500 МБ/с Внешняя скорость считывания 530 МБ/с Ударостойкость при работе 1500 G Наработка на отказ 1.5 млн. ч IOPS записи 60 тыс IOPS...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 2000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 4.0 4x Тип памяти 3D TLC NAND NVMe Внешняя скорость записи 6800 МБ/с Внешняя скорость считывания 7400 МБ/с TRIM Радиатор охлаждения M.2 Размеры (ШхГхТ) 22x80 мм
Основные характеристики Емкость 1000 ГБ Назначение для ноутбука и настольного компьютера Форм-фактор 2.5" Тип флэш-памяти TLC 3D NAND Контроллер Silicon Motion SM2258 Подключение Интерфейс SATA SATA 6Gb/s Параметры накопителя Скорость чтения 560 МБ/с...
Основные Производитель Samsung Код производителя MZQL21T9HCJR-00A07 Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор 2.5" Интерфейс U.2 Объём накопителя 1920 Гб Тип флэш-памяти TLC Скорость чтения 6800 Мб/сек Скорость записи 4000 Мб/сек Скорость произвольного чтения 4 КБ файлов 1000000...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 1920 ГБ Форм-фактор 2.5" Разъем SATA 3 Тип памяти 3D TLC NAND Внешняя скорость записи 320 МБ/с Внешняя скорость считывания 450 МБ/с Ударостойкость при работе 1500 G Наработка на отказ 2 млн. ч IOPS записи 40 тыс IOPS...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 1000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 4.0 4x Тип памяти 3D TLC NAND NVMe Внешняя скорость записи 5800 МБ/с Внешняя скорость считывания 7400 МБ/с TRIM Радиатор охлаждения M.2 Размеры (ШхГхТ) 22x80 мм
Optane DC P5800X 2.5" 100 DWPD Вендор: INTEL Интерфейс: PCI-E 4.0 x4 Объем накопителя: 800 ГБ Форм-фактор: 2.5" Максимальная скорость чтения: 7200 МБ/с Максимальная скорость записи: 6100 МБ/с Время наработки на отказ: 2000000 ч Тип памяти NAND: 3D XPoint Потребляемая...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 2000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 3.0 4x Контроллер Phison PS5013-E13-31 Тип памяти 3D QLC NAND NVMe Внешняя скорость записи 1700 МБ/с Внешняя скорость считывания 2100 МБ/с Ударостойкость при работе 1500 G TBW 480...
Основные Производитель Lite-On Код производителя PH6-CE960-L Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор 2.5" Интерфейс SATA-III Объём накопителя 960 Гб Тип флэш-памяти TLC Объём кэш памяти 32 Мб Скорость чтения 560 Мб/сек Скорость записи 520 Мб/сек Дополнительно...
Артикул производителя (Part Number) SSDPF21Q016TB01 Линейка P5800X Основные характеристики Тип Optane Назначение Для сервера Форм-фактор U.2, (2.5") Характеристики накопителя Ёмкость 1600 GB Ёмкость (после форматирования) 1490.12 GiB Тип памяти XPoint 3D Внешняя скорость...
Optane DC P5800X 2.5" 100 DWPD Вендор: INTEL Интерфейс: PCI-E 4.0 x4 Объем накопителя: 400 ГБ Форм-фактор: 2.5" Максимальная скорость чтения: 7200 МБ/с Максимальная скорость записи: 4800 МБ/с Время наработки на отказ: 2000000 ч Тип памяти NAND: 3D XPoint Потребляемая...
Общие характеристики Производитель Gigabyte Вид SSD TLC 3D NAND, M.2 2280, для ПК Емкость накопителя 500 Гб; буфер 512 Мб Скорость обработки данных чтение 5000 Мб/сек; запись 2500 Мб/сек Скорость ввода/вывода случайная запись 550000 IOPS, случайное чтение 400000 IOPS Выносливость...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 256 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 3.0 4x Контроллер Phison E12 Тип памяти 3D TLC NAND NVMe Внешняя скорость записи 1000 МБ/с Внешняя скорость считывания 3000 МБ/с Ударостойкость при работе 1500 G Наработка на отказ...
Общие характеристики Производитель GoodRAM Вид SSD TLC 3D NAND, M.2 2280, для ПК, для ноутбука Емкость накопителя 512 Гб Скорость обработки данных чтение 3200 Мб/сек; запись 2000 Мб/сек Скорость ввода/вывода случайная запись 500000 IOPS, случайное чтение 295000 IOPS Контроллер...
Основные Производитель Gigabyte Код производителя GP-AG41TB Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор M.2 Интерфейс PCI-E 4.0 x4 Объём накопителя 1000 Гб Тип флэш-памяти TLC Скорость чтения 5000 Мб/сек Скорость записи 4400 Мб/сек Дополнительно Время наработки на отказ 1770000 ч
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 2000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 3.0 4x Тип памяти 3D TLC NAND NVMe / 1.3 / Внешняя скорость записи 3000 МБ/с Внешняя скорость считывания 3400 МБ/с Ударостойкость при работе 1500 G Наработка на отказ 1.8 млн. ч...
Основные Производитель Transcend Код производителя TS2TSSD250N Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор 2.5" Интерфейс SATA-III Объём накопителя 2000 Гб Скорость чтения 560 Мб/сек Скорость записи 480 Мб/сек Скорость произвольного чтения 4 КБ файлов...
Тип: SSD. Форм-фактор: 2.5. Интерфейс: SATA-III. Объём накопителя: 2000 Гб. Тип флэш-памяти: TLC. Скорость чтения: 560 Мб/сек. Скорость записи: 520 Мб/сек. Скорость произвольного чтения 4 КБ файлов: 90000 IOPS. Скорость произвольной записи 4 КБ файлов: 85000 IOPS. Ресурс...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 512 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 3.0 4x Контроллер Silicon Motion SM2262EN Буферная память 512 МБ / DDR3 / Тип памяти 3D TLC NAND NVMe / 1.3 / Внешняя скорость записи 2100 МБ/с...
Основные Производитель Transcend Код производителя TS1TSSD250N Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор 2.5" Интерфейс SATA-III Объём накопителя 1000 Гб Скорость чтения 560 Мб/сек Скорость записи 480 Мб/сек Скорость произвольного чтения 4 КБ файлов 82000 IOPS Скорость...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 256 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 3.0 4x Контроллер Silicon Motion SM2262EN Буферная память 256 МБ / DDR3 / Тип памяти 3D TLC NAND NVMe + / 1.3 / Внешняя скорость записи 1100...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 1000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 3.0 4x Контроллер Silicon Motion SM2263XT Тип памяти 3D TLC NAND NVMe + Внешняя скорость записи 1400 МБ/с Внешняя скорость считывания 1700 МБ/с...
Общие характеристики Производитель Transcend Вид SSD TLC 3D NAND, M.2 2280, для ПК, для ноутбука Емкость накопителя 1000 Гб Скорость обработки данных чтение 3400 Мб/сек; запись 1900 Мб/сек Скорость ввода/вывода случайная запись 340000 IOPS Выносливость (TBW) 2200 ТБ...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 2000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 4.0 4x Контроллер Samsung Elpis Буферная память 2000 МБ / DDR4 / Тип памяти 3D TLC NAND NVMe / 1.3c / Внешняя скорость записи 5100 МБ/с Внешняя скорость считывания 7000 МБ/с...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 1000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 3.0 4x Контроллер Samsung Pablo Тип памяти 3D TLC NAND NVMe + / 1.4 / Внешняя скорость записи 3000 МБ/с Внешняя скорость считывания 3500 МБ/с...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 500 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 3.0 4x Контроллер Samsung Pablo Тип памяти 3D TLC NAND NVMe + / 1.4 / Внешняя скорость записи 2600 МБ/с Внешняя скорость считывания 3100 МБ/с...
S.M.A.R.T Support да TBW 240 TB Диапазон рабочих температур 0 - 70 °C Рабочая температура Емкость 512 ГБ Интерфейс SATA 6 Гб/с Контроллер SM2258XT/SM2259XT Кэш память, DRAM no Память TLC 3D Партномер Q3DT-512GSKF Поддержка технологии GC (Garbage Collection) для макс....
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 4000 ГБ Форм-фактор 2.5" Разъем SATA 3 Контроллер Samsung MKX Буферная память 4000 МБ Тип памяти 3D TLC NAND Внешняя скорость записи 530 МБ/с Внешняя скорость считывания 560 МБ/с Ударостойкость при работе 1500 G Наработка...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 1000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 4.0 4x Контроллер Samsung Elpis Буферная память 1000 МБ / DDR4 / Тип памяти 3D TLC NAND NVMe +/ 1.3c / Внешняя скорость записи 5000 МБ/с Внешняя скорость считывания 7000 МБ/с...
S.M.A.R.T Support да TBW 135TB Диапазон рабочих температур 0 - 70 °C Рабочая температура Емкость 256 ГБ Интерфейс SATA 6 Гб/с Контроллер MAS1102A Память TLC 3D Партномер Q3DT-256GMSY-M2 Поддержка технологии GC (Garbage Collection) для макс. производительности (Алгоритм...
Тип Твердотельный накопитель Емкость 256 ГБ Форм-фактор M.2 NVMe (2280 M) Интерфейс PCI express Gen3x4 Контроллер SM2263XT Кэш NAND SLC буфер (Write SLC Buffer Size) 3 ГБ Кэш память, SRAM DRAM Less Память 3D TLC Скорость чтения/записи 2400 MБ/с / 1200 МБ/с Скорость случайного...
S.M.A.R.T Support да TBW 135TB Диапазон рабочих температур 0 - 70 °C Рабочая температура Емкость 240 ГБ Интерфейс SATA 6 Гб/с Контроллер MAS1102A Память TLC 3D Партномер Q3DT-240GMSY-M2 Поддержка технологии GC (Garbage Collection) для макс. производительности (Алгоритм...
Cкорость случайного чтения блоками (4K-32 QD) 72500 IOPS Cкорость случайной записи блоками (4K-32 QD) 66000 IOPS S.M.A.R.T Support да TBW 166 TB Диапазон рабочих температур 0 - 70 °C Рабочая температура Емкость 240 ГБ Интерфейс SATA 6 Гб/с Контроллер PS3111 Кэш NAND SLC буфер...
Основные Производитель Kingston Код производителя SKC600MS/512G Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор M.2 Интерфейс mSATA (mini SATA) Объём накопителя 512 Гб Тип флэш-памяти TLC Контроллер SM2259 Скорость чтения 550 Мб/сек Скорость записи 520 Мб/сек...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 500 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 3.0 4x Контроллер Phison PS5013-E13-31 Тип памяти 3D QLC NAND NVMe + Внешняя скорость записи 1700 МБ/с Внешняя скорость считывания 2100 МБ/с...
Тип: Твердотельный накопитель Емкость: 1 ТБ Форм-фактор: 2,5" Интерфейс: SATA 6 Гбит/с Контроллер: SM2258XT/SM2259XT Память: TLC 3D Скорость чтения/записи: 560 MБ/с / 520 МБ/с Скорость случайного чтения блоками (4K-64 Thrd Read): 55000 IOPS...
Тип жесткого диска SSD Объем накопителя 512 ГБ Форм-фактор M.2 2280 Интерфейс PCI-E x4 Максимальная скорость чтения 3000 МБ/с Максимальная скорость записи 1600 МБ/с Время наработки на отказ 1600000 ч Тип памяти NAND QLC Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 110000...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 256 ГБ Форм-фактор mini-SATA Контроллер Silicon Motion SM2259 Тип памяти 3D TLC NAND Внешняя скорость записи 500 МБ/с Внешняя скорость считывания 550 МБ/с Ударостойкость при работе 1500 G...
Основные Производитель Intel Код производителя HBRPEKNX0203A08 Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор M.2 Интерфейс PCI-E x4 Объём накопителя 1000 Гб Тип флэш-памяти QLC Скорость чтения 2400 Мб/сек Скорость записи 1800 Мб/сек Скорость произвольного чтения 4 КБ...
Показать еще 40 товаров