Компьютеры, электроника :: Комплектующие к ПК :: Оперативная память

Оперативная память Team group TED48G2666C1901

Производитель: Team Код производителя: TED48G2666C1901 Форм-фактор : DIMM Тип памяти : DDR-4 Объём памяти : 8 Гб Объем одного модуля : 8 Гб Количество модулей в комплекте : 1 Тактовая частота : 2666 МГц Пропускная способность : 21330 Мб/с CAS Latency (CL) :...

Оперативная память GoodRam GR2666D464L19S/4G

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 4096 Мб Объем одного модуля 4096 Мб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 19 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19...

Оперативная память Qumo QUM3S-8G1600C11L

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/сек Схема таймингов памяти 11-11-11-30 Рабочее напряжение 1.35 В Тип охлаждения без охлаждения

Оперативная память GoodRam GR2400D464L17S/8G

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 8192 Мб Объем одного модуля 8192 Мб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 17 Дополнительно Напряжение питания 1.2 В Система охлаждения нет

Оперативная память GoodRam GR2400D464L17S/4G

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 4096 Мб Объем одного модуля 4096 Мб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 17 Дополнительно Напряжение питания 1.2 В Система охлаждения нет

Оперативная память Kingston HyperX Fury Black (HX426C16FB3/8) 8GB DDR4-2666 PC4-21300 CL16 (16-18-18), 1.2V, XMP, retail

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 8192 Мб Объем одного модуля 8192 Мб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge Delay (tRP) 18...

Оперативная память Apacer AS08GGB24CEYBGH/ES.08G2T.GFH SO-DIMM 8GB DDR4-2400 PC4-19200 CL17, 1.2V, retail

Характеристики Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x8Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:2400 МГц Пропускная способность:19200 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL17 Подсветка:нет Объем одного модуля:8 Гб...

ОЗУ Apacer, CL17, 1.2V, retail (AU08GGB24CEYBGH/EL.08G2T.GFH) 8GB DDR4-2400 PC4-19200

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/сек Схема таймингов памяти 17-17-17 Рабочее напряжение 1.2 В

ОЗУ Crucial, CL17, 1.2V, Single Rank, retail (CT4G4DFS824A) 4GB DDR4-2400 PC4-19200

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 4096 Мб Объем одного модуля 4096 Мб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 17 Дополнительно Напряжение питания 1.2 В Система охлаждения нет

ОЗУ Apacer, CL19, 1.2V, retail (EL.04G2V.LNH/AU04GGB26CQWBGH) 4GB DDR4-2666 PC4-21300

Назначение:для системного блока Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:2666 МГц Пропускная способность:21300 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL19 Подсветка:нет Объем одного модуля:4 Гб Кол-во...

ОЗУ Crucial, CL19, 1.2V, Single Rank, retail (CT4G4DFS8266) 4GB DDR4-2666 PC4-21300

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 4096 Мб Объем одного модуля 4096 Мб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 19 Дополнительно Напряжение питания 1.2 В Система охлаждения нет

ОЗУ Samsung Original, CL19, 1.2V (M378A2K43CB1-CTD) 16GB DDR4-2666 PC4-21300

Назначение:для системного блока Тип поставки:один модуль 1x16Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:2666 МГц Пропускная способность:21300 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL16 Тайминги:16-16-16 Подсветка:нет Объем одного...

ОЗУ Samsung, CL19, 1.2V (M378A2G43MX3-CTD) 16GB DDR4-2666 PC4-21300

Общие характеристики Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Количество контактов 288-pin Объем 16384 Мб Показатель скорости PC4-21300 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 2666МГц Напряжение 1.2В Задержка 19-19-19 Латентность CL19...

ОЗУ Crucial Ballistix Sport LT White, CL15 (15-16-16), 1.35V, retail (BLS4K8G4D30AESCK) 32GB DDR4-3000 PC4-24000

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 32768 Мб Объем одного модуля 8192 Мб Количество модулей в комплекте 4 Тактовая частота 3000 МГц Пропускная способность 24000 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 15 RAS to CAS Delay (tRCD) 16 Row Precharge Delay (tRP) 16...

ОЗУ Qumo, CL16, 1.2V, Dual Rank, retail (QUM4U-16G2400P16) 16GB DDR4-2400 PC4-19200

Объем памяти комплекта 16 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/сек Схема таймингов памяти 16-16-16 Рабочее напряжение 1.2 В

ОЗУ Qumo, CL19, 1.2V, retail (QUM4U-16G2666P19) 16GB DDR4-2666 PC4-21300

Объем памяти комплекта 16 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/сек Схема таймингов памяти 19-19-19 Рабочее напряжение 1.2 В

ОЗУ Samsung 3rd, CL19, 1.2V (K4A8G045WC-BCTD/16) 16GB DDR4-2666 PC4-21300

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 19...

ОЗУ Samsung Original, CL19, 1.2V (M471A5244CB0-CTD) SO-DIMM 4GB DDR4-2666 PC4-21300

Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:2666 МГц Пропускная способность:21300 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL17 Тайминги:17-17-17 Подсветка:нет Объем одного модуля:4...