Оперативная память

Сортировать по:
Новинки выше
Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/сек Схема таймингов памяти11 -11-11-30 Рабочее напряжение1. 35 В Тип охлаждения без охлаждения Высота планки стандартная...
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 14
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Линейка Signature Объём памяти 8192 Мб Объем одного модуля 8192 Мб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2133 МГц Пропускная способность 17000 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 15 Дополнительно...
Общие характеристики Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Количество контактов 288-pin Объем 8192 Мб Режим работы двухканальный Показатель скорости PC4-21300 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 2400МГц Напряжение...
Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/с Объем 1 модуль 8 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет...
Patriot PSD44G240041 Объем памяти комплекта 4 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/сек Схема таймингов памяти 17-17-17 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения Высота...
Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/сек Схема таймингов памяти 16-16-16 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения Высота планки стандартная
Объем одного модуля памяти 8 ГБ CAS Latency (CL): 9 RAS to CAS Delay (tRCD): 9 Row Precharge Delay (tRP): 9 Высота: 31.25 мм Количество модулей в комплекте: 1 Наличие радиатора: нет Напряжение питания: 1.5 В
Количество планок - 1 Напряжение питания - 1.5 В Частота памяти - 1600 МГц Обьем оперативной памяти - 8 Гб Схема таймингов памяти - CL-11 Тип памяти - DDR 3 Цвет - Green Производитель - Hynix Назначение - Для настольных ПК Радиаторы на планках - Нет
Модель KVR16LS11/4 Тип памяти DDR3L Частота 1600 МГц Стандарт памяти PC3-12800 (1600 МГц) Емкость одного модуля 4 ГБ Количество в комплекте 1 Суммарный объем памяти 4 ГБ Форм-фактор SO-DIMM 204 pin tCL (задержка сигнала CAS) 11 тактов tRCD (задержка между RAS и CAS) 11 тактов tRP...
Производитель Hynix Модель HMA851U6AFR6N-UH Тип памяти DDR4 Назначение для компьютеров (DIMM) Объем одного модуля 4 Гбайт Частота памяти 2400 Мгц Латентность (CAS Latency) 17 Рабочее напряжение 1.2 В Количество контактов 288 Тип поставки OEM - без индивидуальной упаковки
Тип памяти: DDR3 Форм-фактор: DIMM 240-контактный Тактовая частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 Мб/с Объем: 1 модуль 4 Гб
Тип памяти DDR3L Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 8 Гб
Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 8 Гб
Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2133 МГц Пропускная способность 17000 Мб/с Объем 2 модуля по 4 Гб
Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 16 Гб
Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб
Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Объем одного модуля памяти 4 gb Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность PC12800 Напряжение питания 1.2 v
Тип памяти DDR3 Форм-фактор памяти SO-DIMM Объем одного модуля памяти 4ГБ Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность PC12800 Профили Intel XMP нет Поддерживаемые режимы работы 1066 МГц, 1333 МГц, 1600 МГц Напряжение питания 1.5 В
Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC Тайминги CAS Latency (CL) 11 Напряжение питания 1.6 В
Производитель Crucial Характеристики DDR3-1600 8GB PC3-12800, CL11, Dual voltage: LV 1.35V/1.5V, Single Rank, retail Объем памяти 8 ГБ Охлаждение Нет Тип памяти DDR 3 Частота памяти 1600 МГц Количество модулей 1 Тайминги CL11
Производитель Kingston Характеристики DDR3-1600 8GB PC3-12800, CL11, LV 1.35V, Single Rank Объем памяти 8 ГБ Охлаждение Нет Тип памяти DDR 3 Частота памяти 1600 МГц Количество модулей 1 Тайминги CL11
Производитель Corsair Характеристики DDR3-1600 4GB PC3-12800 Corsair XMS3 Black, CL11 (11-11-11-30), XMP, retail Объем памяти 4 ГБ Охлаждение Радиаторы Тип памяти DDR 3 Частота памяти 1600 МГц Количество модулей 1 Тайминги CL11 (11-11-11-30)
Производитель Crucial Характеристики DDR4-2400 16GB PC4-19200, CL17, retail Объем памяти 16 ГБ Охлаждение Нет Тип памяти DDR 4 Частота памяти 2400 МГц Количество модулей 1 Тайминги CL17
Показать еще 10 товаров